二极管是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件。它具有单向导电性能，即给二极管阳极和阴极加上正向电压时，二极管导通。当给阳极和阴极加上反向电压时，二极管截止。

二极管相关检测标准

1、GB/T 30241.2-2013 齐纳二极管安全栅 第2部分:性能评定方法

2、GB/T 30241.1-2013 齐纳二极管安全栅 第1部分:通用技术条件

3、GB/T 14863-2013 用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法

4、GB/T 23729-2009 闪烁探测器用光电二极管.试验方法

5、GB/T 18802.321-2007 低压电涌保护器元件 第321部分：雪崩击穿二极管（ABD）规范

6、GB/T 4023-1997 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分;整流二极管

7、GB/T 16894-1997 大于100A，环境和管壳额定的整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范

8、GB/T 15649-1995 半导体激光二极管空白详细规范

9、GB/T 6571-1995 半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管

10、GB/T 15177-1994 微波检波、混频二极管空白详细规范

11、GB/T 15137-1994 体效应二极管空白详细规范

12、GB/T 13063-1991 电流调整和电流基准二极管空白详细规范

13、GB/T 12562-1990 PIN 二极管空白详细规范 (可供认证用)

14、GB/T 6570-1986 微波二极管测试方法

15、SJ/T 11767-2020 二极管低频噪声参数测试方法

16、BS IEC 60747-2-2016 半导体器件.分立器件.整流二极管

17、BS PD IEC/TS 62916-2017 光伏模组. 旁路二极管静电放电敏感试验

18、BS EN 60838-2-3-2017 杂类灯座. 详细要求. 双端线性发光二极管(LED)灯具用灯座

19、IEC/TS 62916-2017 光伏模组. 旁路二极管静电放电敏感试验

20、JB/T 11983-2016 拖拉机及内燃机用发电机整流二极管 技术条件

21、IEC 60747-2-2016 半导体器件.第2部分:分立器件.整流二极管

22、IEC 60747-5-7-2016 半导体设备. 第5-7部分: 光电设备. 光电二极管和光电晶体管

23、SJ/T 2749-2016 半导体激光二极管测试方法

24、SJ/T 2658.16-2016 半导体红外发射二极管测量方法 第16部分:光电转换效率

25、SJ/T 2658.15-2016 半导体红外发射二极管测量方法 第15部分：热阻

26、SJ/T 2658.8-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第8部分:辐射强度

27、SJ/T 2658.3-2015 半导体红外发射二极管测量方法.第3部分:反向电压和反向电流

28、SJ/T 2658.9-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第9部分:辐射强度空间分布和半强度角

29、SJ/T 2658.5-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第5部分:串联电阻

30、BS IEC 60747-3-2013 半导体器件.分立器件:信号二极管、开关二极管及调整二极管

31、SJ/T 2354-2015 PIN、雪崩光电二极管测试方法

32、SJ/T 2216-2015 硅光电二极管技术规范

33、ASTM C1307-2015 用钚 (III) 二极管阵列分光光度法进行钚试验的标准试验方法

34、ASTM D7904-2015 采用可调二极管激光光谱 (TDLAS) 测定天然气中水蒸气 (水分浓度) 的标准试验方法

35、ASTM C1307-2014 用钚40;III41二极管阵列分光光度法进行钚试验的标准试验方法

36、DB52/T 861-2013 2CB003型硅雪崩整流二极管详细规范

37、IEC 60747-3-2013 半导体器件.第3部分:分立器件:信号二极管、开关二极管及调整二极管

38、B/T 7624-2013 整流二极管测试方法

39、GOST R 8.843-2013 确保测量一致性的国家系统. 半导体发射二极管辐射功率测量仪器. 验证程序

40、ANSI Z136.2-2012 激光二极管和LED光源的光纤通信系统安全使用标准

41、GJB 33/15-2011 半导体光电子器件.BT401型半导体红外发射二极管详细规范

42、SJ/T 11403-2009 通信用激光二极管模块可靠性评定方法